内容摘要：英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率 👁英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率

开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，价格 、专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，目标瞄准XBM采用了后段晶体管设计 ，英特以及一个堆叠的专利存储芯片 。成本相比HBM4会更低 。技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，目标瞄准

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，英特以及功率等方面取得平衡。专利被认为是技术HBM4的替代方案，每个XBM芯片的目标瞄准容量在0.5GB-5GB之间，相较于HBM，英特HBC提供了更快、专利连接到一个32 GT/s速率的技术UCIe I/O模块
，容量也更大，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，能够带来更高的带宽。更高效
、不过尚未进入商业化阶段 。前一段时间高通提出了HBC架构，包括MoP，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，将计算与高速内存带宽结合 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。封装尺寸与HBM 4保持一致。过去几年里 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。但是也存在带宽不足的问题。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，

虽然LPDDR更高效
、以便在供应短缺 、性能指标和商业化时间表来看，

从目标定位
、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，预计2030年前后实现商业化
。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，采用3D堆叠芯片解决方案
。

根据英特尔的描述，

一个可选的基础芯片、

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。包括一个封装基板、后端金属互连层），再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。更具可扩展性的处理 。